南亚科技申请具有存储器结构的半导体结构及其制造方法专利
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2025-12-05 21:36:49
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有存储器结构的半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121078716A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本公开涉及一种具有存储器结构的半导体结构及其制造方法。此半导体结构包括：一数据存储单位，设置在一第一介电层中；一字元线，设置在该第一介电层之上的一第二介电层中；多个导电垫的一阵列，设置在该第二介电层之上；一位元线，设置在该多个导电垫之上；一第三介电层，设置在该第二介电层之上；以及一第四介电层，设置在该第三介电层之上。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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