国芯微电子取得一种电路组件及功率模块封装结构专利，显著缩小各并联SiC MOSFET芯片之间的寄生电感差异_电池技术

国芯微电子取得一种电路组件及功率模块封装结构专利，显著缩小各并联SiC MOSFET芯片之间的寄生电感差异

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2025-12-08 18:08:24

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国家知识产权局信息显示，国芯微电子（广东）有限公司取得一项名为“一种电路组件及功率模块封装结构”的专利，授权公告号CN223638368U，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请属于半导体器件技术领域，公开一种电路组件及功率模块封装结构，各第一芯片和各第二芯片在横向和纵向上相互错位形成阶梯状排布，且任意相邻的两个芯片在横向和纵向上的错位距离相同，这种独特的排布方式使得各芯片的栅极和开尔文极到对应引脚的路径长度能够通过纵向和横向延伸的连接件实现精确的等长连接；通过这种设计，显著缩小了各并联SiC MOSFET芯片之间的寄生电感差异，从而避免了在高速开关过程中因电感不均导致的导通先后不一致和电流分配失衡；此外，该技术方案有效抑制了芯片关断阶段的电流振荡与电压过冲，降低了EMI风险，并减缓了器件老化过程。

天眼查资料显示，国芯微电子（广东）有限公司，成立于2023年，位于佛山市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2068.9655万人民币。通过天眼查大数据分析，国芯微电子（广东）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可13个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业功率投资并联芯片国芯横向微电子组件专利电感电路结构

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