芯恩申请半导体器件及其制造方法专利，提升线性工作区的导通电流_电池技术

芯恩申请半导体器件及其制造方法专利，提升线性工作区的导通电流

创始人

2025-12-29 18:09:41

0次

国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121218649A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件中，多个氧化隔离结构均位于相对设置的隔离阱之间；源区位于外延层中，且位于第一区域中；第一掺杂区位于外延层中，且位于第二区域中，第一掺杂区与位于其两侧的两个氧化隔离结构以及栅极氧化层均接触；漏区位于外延层中，且位于第三区域中；第一导电结构，位于栅极氧化层上以对第一掺杂区施加电压。制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成隔离层；在隔离层上形成外延层；在外延层形成多个隔离氧化结构；在外延层内形成第一掺杂区以及相对设置的隔离阱；形成第一导电结构；在外延层内形成源区和漏区。本发明能够提升线性工作区的导通电流，提升击穿电压。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目190次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息919条，此外企业还拥有行政许可56个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造氧化投资隔离线性工作区外延青岛专利掺杂区器件外延层芯恩

上一篇：海尔智家申请电压检测电路及方法专利，将洗衣机过零检测和电压检测合二为一以降低成本

下一篇：英杰电气：提供核聚变装置部分电源

芯恩申请半导体器件及其制造方法专利，提升线性工作区的导通电流

相关内容

热门资讯