芯智造取得一种MOS管封装体及电子设备专利，可以提升MOS管封装体的散热效果_电池技术

芯智造取得一种MOS管封装体及电子设备专利，可以提升MOS管封装体的散热效果

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2026-01-01 02:36:26

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国家知识产权局信息显示，广东芯智造半导体有限公司取得一项名为“一种MOS管封装体及电子设备”的专利，授权公告号CN223743656U，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种MOS管封装体及电子设备，MOS管封装体包括：外壳、基岛、第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚与焊盘。第一引脚、第二引脚与第三引脚设置在外壳的相同侧，第四引脚设置在外壳的另一侧；第四引脚与第二引脚连接；基岛设置在第四引脚与第二引脚上并与第四引脚与第二引脚连接；外壳包覆于第一引脚、第二引脚、第三引脚与第四引脚，且第一引脚、第二引脚、第三引脚与第四引脚伸出外壳；焊盘设置在基岛底部并部分伸出外壳。本实用新型通过在基岛的底部设置焊盘，MOS管封装体的顶部与底部都实现了散热，到达了立体散热的目的，从而可以提升MOS管封装体的散热效果，进而可以提升MOS管封装体的可靠性。

天眼查资料显示，广东芯智造半导体有限公司，成立于2015年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯智造半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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