国星半导体申请垂直LED芯片制备方法专利，能够有效减少键合空洞的产生
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2026-01-05 17:09:24
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国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“一种垂直LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121262954A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括在生长衬底上成型发光结构层和第一键合层；发光结构层具有N型导电孔，第一键合层在N型导电孔内形成键合插孔；在导电支撑衬底上成型辅助键合层和第二键合层；辅助键合层由辅助键合柱组成，第二键合层覆盖辅助键合柱的外表面形成键合插头；对两个键合层进行粗化处理，并共晶键合；键合插头对应插入键合插孔中；将生长衬底剥离，并在显露的发光结构层中成型P电极；导电支撑衬底作为N电极；切割，获得垂直LED芯片。本发明通过键合插孔和键合插头的相互配合、以及对键合层表面的粗化处理，能够有效减少键合空洞的产生，有利于提高垂直LED芯片使用的可靠性。
天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目530次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息446条，此外企业还拥有行政许可22个。
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