国星半导体申请垂直LED芯片制备方法专利，能够有效减少键合空洞的产生
创始人
2026-01-05 17:09:24
0次
国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“一种垂直LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121262954A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括在生长衬底上成型发光结构层和第一键合层；发光结构层具有N型导电孔，第一键合层在N型导电孔内形成键合插孔；在导电支撑衬底上成型辅助键合层和第二键合层；辅助键合层由辅助键合柱组成，第二键合层覆盖辅助键合柱的外表面形成键合插头；对两个键合层进行粗化处理，并共晶键合；键合插头对应插入键合插孔中；将生长衬底剥离，并在显露的发光结构层中成型P电极；导电支撑衬底作为N电极；切割，获得垂直LED芯片。本发明通过键合插孔和键合插头的相互配合、以及对键合层表面的粗化处理，能够有效减少键合空洞的产生，有利于提高垂直LED芯片使用的可靠性。
天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目530次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息446条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
天赢电气申请环保气体绝缘环网开...
国家知识产权局信息显示，天赢电气有限公司申请一项名为“一种环保气体绝缘环网开关设备的电场动态调控方法...
埃尔及工程申请杆上重合闸切断开...
国家知识产权局信息显示，埃尔及工程公司申请一项名为“杆上重合闸切断开关及重合闸装置”的专利，公开号C...
宁夏珂派司电子科技申请一种高分...
国家知识产权局信息显示，宁夏珂派司电子科技有限公司申请一项名为“一种高分子电容器及其制备方法”的专利...
山东普道申请基于施工数据分析的...
国家知识产权局信息显示，山东普道建设项目管理有限公司申请一项名为“基于施工数据分析的地铁施工安全监测...
福特申请用于车灯总成的传感器盖...
国家知识产权局信息显示，福特全球技术公司申请一项名为“用于车灯总成的传感器盖”的专利，公开号CN12...
香港国际创科展及香港春季电子产...
4月13日，以“创新·智动·起飞”为主题的香港国际创科展在香港会议展览中心举行，本届展会涵盖人工智能...
电子化学品板块4月13日涨0....
证券之星消息，4月13日电子化学品板块较上一交易日上涨0.7%，宏昌电子领涨。当日上证指数报收于39...
日本政府向半导体公司Rapid...
观点网讯：近日，日本经济产业相赤泽亮正宣布，已批准2026年度向日本半导体公司Rapidus追加支援...
三星显示申请显示装置和包括该显...
国家知识产权局信息显示，三星显示有限公司申请一项名为“显示装置和包括该显示装置的电子装置”的专利，公...
北京行云集成电路申请芯片系统、...
国家知识产权局信息显示，北京行云集成电路有限公司;行云集微（成都）科技有限公司申请一项名为“一种芯片...