重庆芯联微电子取得嵌入式SiGe外延制备方法专利
创始人
2026-01-07 12:37:17
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国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司取得一项名为“嵌入式SiGe外延的制备方法”的专利，授权公告号CN119767719B，申请日期为2024年12月。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息213条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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