北方集成申请半导体结构及其形成方法专利，避免刻蚀精度差的问题
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2025-07-01 15:28:00
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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120239284A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底中形成有第一金属层，所述基底和第一金属层表面形成有掩膜层，所述掩膜层中形成有贯穿所述掩膜层并电连接所述第一金属层的底电极；第一层间介质层，位于所述掩膜层和底电极表面，所述第一层间介质层中包括暴露所述底电极的第一开口；依次位于所述第一开口底部和侧壁的阻变层和顶电极，所述底电极、阻变层和顶电极构成存储器单元；第二层间介质层，覆盖所述第一层间介质层和存储器单元，所述第二层间介质层中包括暴露所述顶电极的第二开口；第二金属层，位于所述第二开口中电连接所述顶电极。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息329条，此外企业还拥有行政许可123个。
来源：金融界
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