昆山清元申请多层薄膜电容器及其制备方法专利，解决单层介质层厚度难做到1微米以下的问题
创始人
2026-01-15 20:08:51
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国家知识产权局信息显示，昆山清元电子科技有限公司申请一项名为“多层薄膜电容器及其制备方法”的专利，公开号CN121331661A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种多层薄膜电容器及其制备方法，涉及电容器技术领域。其中，该多层薄膜电容器，包括：基底层；电介质层，沿预设方向设置于所述基底层上；内电极层，设置于所述电介质层之间；外电极，分别与所述电介质层和所述基底层相连；其中，所述电介质层和所述内电极层交替叠加，以形成多层电容器结构。本发明，解决在现有技术中，通过流延工艺制造的MLCC介质层厚度通常在几微米至几十微米之间，却很难将单层介质层厚度做到1微米以下的问题。
天眼查资料显示，昆山清元电子科技有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1179.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，昆山清元电子科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2次，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可2个。
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来源：市场资讯
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