乾照半导体申请多结太阳能电池制备方法专利，可提高外延层膜层质量_电池技术

乾照半导体申请多结太阳能电池制备方法专利，可提高外延层膜层质量

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2026-01-17 16:11:22

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国家知识产权局信息显示，江西乾照半导体科技有限公司、扬州乾照光电有限公司申请一项名为“一种多结太阳能电池及其制备方法、电源设备”的专利，公开号CN121335270A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种多结太阳能电池及其制备方法、电源设备，涉及太阳能电池技术领域。在Ge衬底的第二表面生长多结太阳能电池外延层之前，首先在Ge衬底的第一表面生长保护层，来抑制多结太阳能电池外延层外延生长过程中高温环境下Ge衬底中Ge原子向反应腔挥发，基于具有保护层的Ge衬底，再在其第二表面生长多结太阳能电池外延层时，可提高多结太阳能电池外延层的膜层质量，并且由于保护层的设置显然还可以提高其外延生长温度，来减少氧原子的并入，以此综合提高所制备的多结太阳能电池的转换效率等性能。总的来说，本申请技术方案是一种可以在高温外延生长多结太阳能电池外延层时防止Ge原子扩散至外延层的一种外延生长技术。

天眼查资料显示，江西乾照半导体科技有限公司，成立于2023年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本27000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西乾照半导体科技有限公司参与招投标项目4次，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可3个。

扬州乾照光电有限公司，成立于2009年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本58200万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州乾照光电有限公司参与招投标项目17次，专利信息328条，此外企业还拥有行政许可112个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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