北京晨晶电子申请集成热熔连接结构的自修复式硅电容器专利，提升硅电容器的静电放电耐性_电池技术

北京晨晶电子申请集成热熔连接结构的自修复式硅电容器专利，提升硅电容器的静电放电耐性

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2026-01-20 13:12:08

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国家知识产权局信息显示，北京晨晶电子有限公司申请一项名为“一种集成热熔连接结构的自修复式硅电容器及制造方法”的专利，公开号CN121357903A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种集成热熔连接结构的自修复式硅电容器及制造方法，电容阵列通过多个电容单元并联、串联或串并混合连接实现目标电容值；电容单元采用热熔连接结构连接，每个电容单元对应独立的热熔连接结构；热熔连接结构设置于各电容单元的电极互联路径上，热熔连接结构由低熔点导电材料构成，熔断电流阈值低于电容单元介质层的击穿电流；当单个电容单元因静电放电导致介质层永久性短路时，流经该电容单元的电流超过熔断电流阈值，触发对应热熔连接结构熔断，使被击穿电容单元断开隔离，其余电容单元维持电学连接及电容功能。本发明能够在发生静电放电击穿后，屏蔽击穿的电容单元，实现硅电容器的自修复功能，提升硅电容器的静电放电耐性。

天眼查资料显示，北京晨晶电子有限公司，成立于2000年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1700万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晨晶电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目529次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息164条，此外企业还拥有行政许可72个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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