富乐华半导体申请一种双面覆铜陶瓷基板的制备方法专利，降低了能耗
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2025-07-02 19:10:21
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，四川富乐华半导体科技有限公司申请一项名为“一种双面覆铜陶瓷基板的制备方法”的专利，公开号CN120229967A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种双面覆铜陶瓷基板的制备方法，属于集成电路制作领域，包括以下步骤：步骤S1～S4，将铜箔粘结到陶瓷基板的一面，进行第一次烧结氧化，形成单面覆铜陶瓷基板，步骤S5～S8，将铜箔粘结到陶瓷基板的另一面，进行第二次烧结氧化，形成双面覆铜陶瓷基板，烧结过程中，覆铜陶瓷基板放置在垫板上，垫板放置在垫片上，垫片下表面与输送带接触，烧结炉的炉底板位于输送带的下方，炉底板上均匀开设有通孔，通孔孔径为1～15mm，开孔率为20～50％。
天眼查资料显示，四川富乐华半导体科技有限公司，成立于2022年，位于内江市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，四川富乐华半导体科技有限公司参与招投标项目8次，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可48个。
来源：金融界
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