英飞凌申请半导体装置及制造方法专利，实现源极-源极连接优化
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2026-01-31 23:11:43
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体装置、系统及制造方法”的专利，公开号CN121443126A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，公开了一种半导体装置，其包括第一半导体封装和与第一半导体封装分开的第二半导体封装，每个半导体封装包括：具有第一主面和与第一主面相对的第二主面的管芯载体、设置在第一主面上的晶体管管芯、连接到晶体管管芯的第一负载电极的第一引线、连接到晶体管管芯的栅电极的第二引线、将管芯载体的至少部分第一主面、引线的内部部分以及晶体管管芯嵌入的包封体，其中，第一半导体封装的第一引线电连接到第二半导体封装的第一引线以形成源极-源极连接，并且其中，第一半导体封装的第二引线和第二半导体封装的第二引线布置在第一半导体封装与第二半导体封装之间。
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