中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，提升电阻层所在电路的稳定性
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2026-02-03 12:45:52
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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121443076A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成电阻材料层；在电阻材料层上形成阻挡结构材料层；刻蚀所述阻挡结构材料层和电阻材料层，在衬底上形成电阻层和位于电阻层上的阻挡结构。所述电阻层的电阻值稳定，提升所述电阻层所在电路的稳定性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目53次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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来源：市场资讯
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