盖泽华矽半导体申请基于轨迹自适应的晶圆外延膜厚测量方法与系统专利，有助于提高半导体制造的良率与智能化水平_电池技术

盖泽华矽半导体申请基于轨迹自适应的晶圆外延膜厚测量方法与系统专利，有助于提高半导体制造的良率与智能化水平

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2026-02-03 21:15:18

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国家知识产权局信息显示，盖泽华矽半导体科技（苏州）有限公司申请一项名为“基于轨迹自适应的晶圆外延膜厚测量方法与系统”的专利，公开号CN121430464A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提出基于轨迹自适应的晶圆外延膜厚测量方法与系统，属于测量测试与半导体制造技术领域。测量方法包括晶圆上料与初步移送步骤、晶圆定位与校正补偿步骤、测量路径规划步骤、膜厚数据采集处理步骤、数据比对与趋势报告生成步骤以及异常报警触发步骤。测量系统包括上料与移送单元、定位与补偿单元、测量路径规划单元、膜厚数据采集处理单元、数据比对与趋势报告生成单元、异常报警触发单元，所述定位与补偿单元包括校正机构与补偿机构。本发明通过轨迹自适应规划与边缘增强算法，提升了晶圆外延膜厚测量的精度与效率；结合云端协同分析，实现了异常实时报警与趋势预测，有助于提高半导体制造的良率与智能化水平。

天眼查资料显示，盖泽华矽半导体科技（苏州）有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，盖泽华矽半导体科技（苏州）有限公司参与招投标项目7次，专利信息17条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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