重庆联晶通半导体申请GaN器件寿命快速预测方法专利，提高GaN器件寿命预测的准确性
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2026-02-05 15:14:45
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国家知识产权局信息显示，重庆联晶通半导体科技有限公司申请一项名为“一种GaN器件的寿命快速预测方法和系统”的专利，公开号CN121460030A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件测试技术领域，具体是一种GaN器件的寿命快速预测方法和系统。所述方法包括：获取待测GaN器件的物理结构属性与使用场景信息；基于物理结构属性与使用场景信息确定关键工况参数及对应的目标应力条件；基于目标应力条件对待测GaN器件进行自适应复合加速应力测试获得退化指纹向量；基于使用场景信息构建所述关键工况参数的联合概率分布；构建寿命预测模型，基于退化指纹向量与联合概率分布利用所述寿命预测模型得到待测GaN器件的寿命分布。解决了现有技术中GaN器件的寿命快速预测不够准确的问题。通过结合器件结构与场景信息、自适应加速测试及建模，减少测试时间的同时提高了GaN器件寿命预测的准确性。
天眼查资料显示，重庆联晶通半导体科技有限公司，成立于2024年，位于重庆市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆联晶通半导体科技有限公司专利信息9条。
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来源：市场资讯
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