物元半导体申请晶圆表面薄膜沉积方法专利，提高薄膜量测结果可信度
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2026-02-06 18:42:14
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国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“一种晶圆表面的薄膜沉积方法”的专利，公开号CN121463733A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种晶圆表面的薄膜沉积方法，至少包括以下步骤：S1：提供一经干法刻蚀处理的晶圆；S2：对晶圆进行快速热退火处理，以修复干法刻蚀造成的表面损伤；S3：在经快速热退火处理后的晶圆表面上，通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积电介质薄膜。本申请提供的协同沉积薄膜方法在消除因干法刻蚀带来的硅晶圆表面损伤外，可达到对薄膜厚度的精准控制及量测结果的拟合程度的优化，提高薄膜量测结果可信度，该方法结合RTP的高效退火与PECVD的低温沉积，实现了对薄膜厚度、结晶度、界面质量、量测拟合程度的协同调控，对推进半导体器件的微缩化具有重要意义。
天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本52199.9997万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息145条，此外企业还拥有行政许可12个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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