京东方华灿光电申请改善飞片的发光二极管及其制备方法专利，防止衬底或石墨盘损坏
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2026-02-07 14:11:56
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“改善飞片的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121463598A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开提供了一种改善飞片的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：将衬底放置在反应腔的石墨盘上；调整所述反应腔的生长气氛，在所述衬底上生长NAl缺陷阻挡层，所述反应腔的生长气氛包括反应气和载气，所述反应气包括氨气，所述载气包括氮气，所述氮气的体积与所述氨气的体积之比小于或者等于3.5；在所述NAl缺陷阻挡层上生长外延层。本公开实施例能在生长NAl缺陷阻挡层的过程中降低飞片的概率，防止衬底或石墨盘损坏。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目100次，专利信息605条，此外企业还拥有行政许可49个。
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来源：市场资讯
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