京东方华灿光电申请改善飞片的发光二极管及其制备方法专利,防止衬底或石墨盘损坏
创始人
2026-02-07 14:11:56
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国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司申请一项名为“改善飞片的发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN121463598A,申请日期为2025年9月。

专利摘要显示,本公开提供了一种改善飞片的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该制备方法包括:将衬底放置在反应腔的石墨盘上;调整所述反应腔的生长气氛,在所述衬底上生长NAl缺陷阻挡层,所述反应腔的生长气氛包括反应气和载气,所述反应气包括氨气,所述载气包括氮气,所述氮气的体积与所述氨气的体积之比小于或者等于3.5;在所述NAl缺陷阻挡层上生长外延层。本公开实施例能在生长NAl缺陷阻挡层的过程中降低飞片的概率,防止衬底或石墨盘损坏。

天眼查资料显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司,成立于2012年,位于苏州市,是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(苏州)有限公司参与招投标项目100次,专利信息605条,此外企业还拥有行政许可49个。

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来源:市场资讯

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