上海邦芯半导体申请半导体结构制备相关专利，提高刻蚀工艺窗口
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2025-07-04 20:09:48
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN120261286A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构制备方法及半导体结构，方法包括：使用第一中性粒子与介质层进行第一反应，对自掩膜图形侧面露出的介质层的表面进行第一深度的第一刻蚀，以形成第一刻蚀结构；使用第二中性粒子与介质层进行第二反应，对第一刻蚀结构的底部进行第二深度的第二刻蚀，以形成第二刻蚀结构，并通过第二反应至少在第二刻蚀结构的底部上生成和吸附固态的阻挡层；使阻挡层解吸以去除；进行第二刻蚀和使阻挡层解吸的过程为一至多次，直至使衬底表面自第二刻蚀结构的底部上露出为止。
天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息123条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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