维安半导体申请场截止层制备方法专利，避免造成产线污染
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2026-02-24 14:16:38
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国家知识产权局信息显示，上海维安半导体有限公司申请一项名为“场截止层制备方法及工艺监控方法、半导体器件制备方法”的专利，公开号CN121568426A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种场截止层制备方法及工艺监控方法、半导体器件制备方法，属于半导体功率器件技术领域，方法包括：提供晶圆预制件，包括位于外延层上表面的栅氧化层、位于栅氧化层上表面的多晶硅层、位于外延层中的体区以及位于体区中的第一注入区；对晶圆预制件的正面涂胶，将带正面保护胶的晶圆预制件翻面，对晶圆预制件的背面进行减薄；采用正面注入机台对晶圆预制件的背面进行离子注入，形成场截止层；再次翻面，并去除正面保护胶。有益效果：在前段工艺利用正面注入机台形成场截止层，避免造成产线污染，更有利于实现场截止层的制程；解决了晶圆厂背面注入机台受限问题，无需额外购置机台，提高了机台利用率，降低了成本。
天眼查资料显示，上海维安半导体有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海维安半导体有限公司参与招投标项目7次，专利信息280条，此外企业还拥有行政许可11个。
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来源：市场资讯
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