爱思开海力士申请制造半导体装置的方法专利，选择图案包括不同材料的多层导电部分
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2026-02-26 20:45:48
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN121568391A，申请日期为2021年5月。
专利摘要显示，本申请提供了制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括彼此交替层叠的多个导电图案和多个绝缘图案；单元插塞，其穿过层叠结构；选择插塞，其联接到单元插塞；以及选择图案，其围绕选择插塞，其中，选择图案包括第一导电部分和覆盖第一导电部分的侧壁和顶表面的第二导电部分，以及其中，多个导电图案、第一导电部分和第二导电部分包括不同的材料。
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来源：市场资讯
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