华虹半导体申请工艺中电荷生成状况监测方法专利，能够实现对晶圆清洗工艺或光刻显影后冲洗工艺的电荷监测
创始人
2026-03-02 09:15:03
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“工艺中电荷生成状况的监测方法”的专利，公开号CN121586447A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种工艺中电荷生成状况的监测方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆上形成有测试用的一次性可编程结构，所述一次性可编程结构用于在捕获到电荷后开启；对所述晶圆进行预处理，以去除所述晶圆上残留的电荷；通过目标工艺处理所述晶圆；对所述晶圆进行漏电检测，以判断所述目标工艺的电荷生成状况。本申请通过上述方案，能够实现对晶圆清洗工艺或光刻显影后冲洗工艺的电荷监测。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2937次，专利信息1988条，此外企业还拥有行政许可117个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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