晶合集成申请一种半导体结构及其制造方法专利，提升芯片良品率_电池技术

晶合集成申请一种半导体结构及其制造方法专利，提升芯片良品率

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2026-03-03 13:13:34

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121604535A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括并列设置的第一区域和第二区域；在所述衬底上依次生长垫氧化层和垫氮化层；在所述第一区域内形成第一浅沟槽，在所述第二区域内形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽与所述第一浅沟槽并列设置，且所述第二浅沟槽的深度大于所述第一浅沟槽的深度；刻蚀去除所述垫氮化层，在所述垫氧化层的表面、第一浅沟槽的内壁和第二浅沟槽的内壁上生长形成补偿氮化层；在所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽内填充绝缘介质，对所述绝缘介质进行平坦化处理，使得所述绝缘介质的表面与两侧的补偿氮化层的表面齐平。其能够优化像素区的电学性能，提升芯片良品率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1662条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法显示投资沟槽导体晶合结构专利浅沟槽半导体衬底氮化层

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