晶合集成申请一种半导体结构及其制造方法专利，提升芯片良品率
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2026-03-03 13:13:34
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121604535A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括并列设置的第一区域和第二区域；在所述衬底上依次生长垫氧化层和垫氮化层；在所述第一区域内形成第一浅沟槽，在所述第二区域内形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽与所述第一浅沟槽并列设置，且所述第二浅沟槽的深度大于所述第一浅沟槽的深度；刻蚀去除所述垫氮化层，在所述垫氧化层的表面、第一浅沟槽的内壁和第二浅沟槽的内壁上生长形成补偿氮化层；在所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽内填充绝缘介质，对所述绝缘介质进行平坦化处理，使得所述绝缘介质的表面与两侧的补偿氮化层的表面齐平。其能够优化像素区的电学性能，提升芯片良品率。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1662条，此外企业还拥有行政许可22个。
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来源：市场资讯
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