晶湛半导体申请半导体结构及其制备方法专利，改善HEMT器件漏电的问题
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2026-03-06 18:08:12
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国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121619893A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：衬底，以及在所述衬底一侧的沟道结构，所述沟道结构包括依次设于所述衬底一侧的第一沟道层和第一势垒层；其中，所述沟道结构包括栅极区域以及位于所述栅极区域两侧的源极区域和漏极区域，所述沟道结构的所述源极区域设有第一凹槽，所述沟道结构的所述漏极区域设有第二凹槽；以及两个N型重掺杂层，分别位于在所述第一凹槽和所述第二凹槽中；其中，所述N型重掺杂层背离所述衬底的表面具有多个V型坑。V型坑分布均匀，且内侧晶面稳定，能够使电流传输方向稳定，从而改善HEMT器件漏电的问题，并且降低HEMT器件能耗。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息328条，此外企业还拥有行政许可24个。
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来源：市场资讯
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