晶合集成取得半导体结构及高压MOS器件制备方法专利
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2026-03-10 18:01:14
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“半导体结构及其制备方法、高压MOS器件”的专利，授权公告号CN121194489B，申请日期为2025年11月。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目635次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1673条，此外企业还拥有行政许可22个。
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