铠侠申请半导体存储装置专利，能提高良率
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2026-03-14 04:32:54
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置”的专利，公开号CN121645885A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体存储装置，其能提高良率。一实施方式的半导体存储装置具备：衬底；积层体，配置在第1方向上的衬底的上方；第1导电体层，配置在衬底与积层体之间；存储器柱，包含半导体膜，在第1方向上延伸，贯通第1导电体层；及第1部件，在与第1方向交叉的第2方向上与存储器柱隔开而配置，在第1方向上延伸，贯通第1导电体层。积层体具有从衬底侧起，将第1半导体层、第2半导体层、第2导电体层及第3导电体层依序积层而成的构造。第1半导体层覆盖半导体膜的第1方向上的端部、及第1部件的第1方向上的端部。
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