意法半导体取得半导体电子器件专利,容纳器件的导电沟道
创始人
2026-03-21 19:18:21
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国家知识产权局信息显示,意法半导体国际公司取得一项名为“一种半导体电子器件”的专利,授权公告号CN224022143U,申请日期为2025年3月。

专利摘要显示,本公开涉及一种半导体电子设备器件。一种半导体电子器件具有半导体本体,该半导体本体具有第一导电类型、前表面和沿第一方向与前表面相距一定距离的后表面。半导体本体还具有横向边缘。该器件具有有源区,该有源区在使用中容纳该器件的导电沟道;以及边缘端接区域,该边缘端接区域沿横向于第一方向的第二方向在有源区与半导体本体的横向边缘之间围绕有源区。边缘端接区域具有不同于第一导电类型的第二导电类型的多个掺杂部分,并且这些掺杂部分沿第一方向或者沿第一方向和沿第二方向彼此相距一定距离地被布置在半导体本体中。

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来源:市场资讯

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