长江存储申请半导体装置及其制造方法专利，提高半导体装置的结构集成度
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2026-04-01 05:53:04
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121772221A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括第一堆叠体和第二堆叠体。第一堆叠体包括沿第一方向彼此交替的导电层和绝缘层的第一层叠和第二层叠。第二堆叠体包括沿第一方向彼此交替的电介质层和绝缘层的第一层叠和第二层叠。半导体装置还包括：第一连接层，其沿第二方向将第一堆叠体的第一层叠的第一导电层与第二堆叠体的第一层叠的第一电介质层连接；第二连接层，其沿第二方向将第一堆叠体的第二层叠的第二导电层与第二堆叠体的第二层叠的第二电介质层连接；以及隔离结构，其具有沿第一方向延伸穿过第二堆叠体的第一层叠的电介质层，其中，隔离结构沿第一方向延伸穿过第一连接层和第二连接层。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1431次，财产线索方面有商标信息1020条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
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来源：市场资讯
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