国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和存储器装置”的专利,公开号CN121793445A,申请日期为2025年4月。
专利摘要显示,本申请涉及半导体装置和存储器装置。根据本公开的实施方式的半导体装置包括:防护区域;芯片区域,其被所述防护区域围绕;以及电路结构,其包括在所述芯片区域中串联联接的接合焊盘。根据本公开的实施方式的半导体装置包括:芯片区域;芯片防护件,其围绕所述芯片区域并且彼此间隔开;以及电路结构,其包括串联联接在所述芯片防护件之间的接合焊盘。
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来源:市场资讯