今上半导体取得半导体无源器件电连接结构专利，减小在高频传输信号下的损耗
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2026-04-07 14:56:53
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国家知识产权局信息显示，今上半导体（信阳）有限公司取得一项名为“一种半导体无源器件电连接结构”的专利，授权公告号CN224098141U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种半导体无源器件电连接结构，包括衬底层、对称设置于衬底层上用于形成电容器件的电容部、对称设置于衬底层上用于形成绝缘层的介电层、对称设置于衬底层上用于形成电感器件的电感线圈部以及设置于两个电容部和两个电感线圈部内部用于连接的桥连结构。该装置解决了无源器件电连接结构采用桥连结构连接工艺复杂以及高频传输损耗较大的问题，达到了在简化无源器件电连接结构的基础上，进一步简化桥连结构，采用一个衬底进行制备，降低生产成本的同时减小在高频传输信号下的损耗的效果。
天眼查资料显示，今上半导体（信阳）有限公司，成立于2021年，位于信阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本14000万人民币。通过天眼查大数据分析，今上半导体（信阳）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可10个。
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来源：市场资讯
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