格科微申请图像传感器隔离结构形成方法专利，实现不同功能区域之间的电学隔离或光学隔离_电池技术

格科微申请图像传感器隔离结构形成方法专利，实现不同功能区域之间的电学隔离或光学隔离

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2026-05-06 11:33:51

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国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种图像传感器隔离结构的形成方法及图像传感器”的专利，公开号CN121985608A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感器隔离结构的形成方法及图像传感器，该方法包含：步骤S1，提供一衬底，在所述衬底内形成一毯式N阱层；步骤S2，在所述毯式N阱层上沿同一平面布置像素区、保护环区、外围区，所述保护环区环绕设置在所述像素区外，所述外围区环绕设置在所述保护环区外；步骤S3，在所述外围区、保护环区之间和/或所述保护环区、像素区之间刻蚀形成硅通孔隔离结构；所述硅通孔隔离结构贯穿所述毯式N阱层并延伸至所述衬底的上表面。本发明的硅通孔隔离结构将毯式N阱层隔离为两个或多个子阱，从根本上切断电子通过毯式N阱层在不同功能区域之间迁移的横向泄漏路径，在保障高满阱容量的同时，实现不同功能区域之间的电学隔离或光学隔离。

天眼查资料显示，格科微电子（上海）有限公司，成立于2003年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6259.722万美元。通过天眼查大数据分析，格科微电子（上海）有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息1103条，此外企业还拥有行政许可45个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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