杭州大和热磁申请半导体用通气式磁流体密封传动装置专利，防止磁液被高压气体冲入真空腔内部污染半导体_电池技术

杭州大和热磁申请半导体用通气式磁流体密封传动装置专利，防止磁液被高压气体冲入真空腔内部污染半导体

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2026-05-06 17:14:48

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国家知识产权局信息显示，杭州大和热磁电子有限公司申请一项名为“一种半导体用通气式磁流体密封传动装置”的专利，公开号CN121977074A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体用通气式磁流体密封传动装置，包括主轴和外壳，所述的主轴和外壳之间通过磁流体密封组件形成磁流体密封结构，在所述的磁流体密封组件中间位置的主轴上设置有气体流通密封组件，所述的气体流通密封组件与磁流体密封组件之间设置有进气缓冲迷宫结构，所述的外壳、气体流通密封组件和主轴之间设置有缓冲进气通道。该传动装置，在主轴和外壳之间增设气体流通密封组件，气体流通密封组件与外壳、主轴之间设置缓冲进气通道，在气体流通密封组件与磁流体密封组件之间设置进气缓冲迷宫结构，实现了在通高压气体过程中对气体的缓冲，防止磁液被高压气体冲入真空腔内部，既不会对磁流体密封传动装置的密封性造成影响，也不会导致磁液流失到真空腔内部污染半导体，影响半导体质量。证实现良好的密封性能和有效的通气功能。

天眼查资料显示，杭州大和热磁电子有限公司，成立于1992年，位于杭州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本3186396.9899万日元。通过天眼查大数据分析，杭州大和热磁电子有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目17次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息490条，此外企业还拥有行政许可110个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业密封高压气体主轴投资真空导体组件专利磁流体半导体

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