意法半导体申请用于PCM存储器的补偿电流专利，在写入电流脉冲开始时供应补偿电流脉冲
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2026-05-08 12:56:24
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“用于PCM存储器的补偿电流”的专利，公开号CN121999837A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本公开涉及用于PCM存储器的补偿电流。本公开涉及一种包括相变存储器单元的行和列的存储器块。第一MOS晶体管将电源电压耦合到接收参考电流的输入端，并且其栅极连接到该输入端。对于每一列，第二晶体管将电源电压耦合到被耦合到该列的对应输出端。导电轨将该输入端连接到所述第二晶体管的栅极。电路选择列，使得在写入操作期间，写入电流脉冲流过每个所选择的列。另一个电路在写入电流脉冲开始时，向所述导电轨供应由所选择的列确定的补偿电流脉冲。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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