瑞普光子申请光子电路及其制造方法专利，氢化非晶硅的折射率高于光学功能层的折射率
创始人
2026-05-12 21:56:43
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国家知识产权局信息显示，瑞普光子技术有限公司申请一项名为“光子电路及其制造方法”的专利，公开号CN122029476A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，一种光子电路（200），被如下制造：在由衬底（105）支撑的光学功能层（104）的顶部上添加氢化非晶硅条带（107）。所述光学功能层（104）的厚度在100nm与500nm之间。所述氢化非晶硅的折射率高于所述光学功能层（104）的折射率。在添加所述氢化非晶硅条带（107）之前，可以在所述光学功能层（104）上沉积保护层（106）。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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