格科半导体申请氧化铪基MIM电容器制备方法专利，提高MIM电容的耐高温性能
创始人
2026-05-14 04:02:11
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国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种氧化铪基MIM电容器的制备方法以及氧化铪基MIM电容器”的专利，公开号CN122028443A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明采用氮掺杂的氧化铪作为MIM电容器的介质层，可以提高电容介质层的相变温度，其相变温度能高达1000℃，高相变温度能减少漏电，提高MIM电容的耐高温性能，提高其可靠性；且掺杂氮能提高氧化铪介电常数，进一步提高器件性能；提高氧化铪相变温度还能提高氧化铪的退火温度，进而减小退火时间，提高氧化铪材料性能。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息153条，此外企业还拥有行政许可96个。
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来源：市场资讯
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