国家知识产权局信息显示,格科半导体(上海)有限公司申请一项名为“一种氧化铪基MIM电容器的制备方法以及氧化铪基MIM电容器”的专利,公开号CN122028443A,申请日期为2024年11月。
专利摘要显示,本发明采用氮掺杂的氧化铪作为MIM电容器的介质层,可以提高电容介质层的相变温度,其相变温度能高达1000℃,高相变温度能减少漏电,提高MIM电容的耐高温性能,提高其可靠性;且掺杂氮能提高氧化铪介电常数,进一步提高器件性能;提高氧化铪相变温度还能提高氧化铪的退火温度,进而减小退火时间,提高氧化铪材料性能。
天眼查资料显示,格科半导体(上海)有限公司,成立于2020年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析,格科半导体(上海)有限公司参与招投标项目21次,专利信息153条,此外企业还拥有行政许可96个。
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来源:市场资讯