三安半导体申请功率器件的终端结构及其制造方法专利，提高终端结构的耐压
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2026-05-16 18:13:52
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国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“功率器件的终端结构及其制造方法”的专利，公开号CN122054618A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明实施例涉及一种功率器件的终端结构制造方法和功率器件的终端结构，其中所述方法包括：制备终端区主体结构，由衬底层和位于衬底层一侧的外延层组成；在外延层上进行沟槽刻蚀，形成第一沟槽和第二沟槽；向第一沟槽和第二沟槽内淀积氧化层；去除氧化层，以形成离子注入窗口，并向离子注入窗口进行离子注入，以形成深结和场限环；在第一沟槽和第二沟槽内填充多晶硅，以形成多晶硅层；在外延层上方淀积高介电常数材料，以形成场板；分别在部分场板、第一沟槽的槽口和第二沟槽的槽口处淀积多晶硅，以形成金属连接层。本实施例通过采用沟槽场限环加场板的设计，提高终端结构的耐压，增加功率器件的可靠性。
天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目62次，专利信息440条，此外企业还拥有行政许可148个。
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来源：市场资讯
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