众所周知，由于被列入美国实体清单，华为无法获取采用美国技术生产的最新3D NAND芯片，导致其发展压力变大很多。

而且在原有库存耗尽后，只能使用长江存储等中国本土厂商生产的NAND闪存，这里并不是说不够优秀。

但如果继续沿用行业通用的传统封装方案，其SSD产品在容量上会明显落后于主流厂商的同类产品。

在这种情况下，华为肯定不会坐以待毙，而是在不断的进行发展，直到近期，市场中传出了一则很关键的消息。

据了解，近日在巴黎华为IDI Forum 2026活动上，华为展示了基于自研Die-on-Board（板上裸片封装，简称DoB）封装技术的大容量SSD系列。

目前已量产61.44TB和122.88TB两款产品，245TB版本也在规划中，为AI数据中心和海量存储场景提供国产化方案。

简单来说就是华为选择绕开3D NAND层数竞赛，转而在板级封装领域进行底层创新，通过将NAND裸片直接堆叠在PCB板上的方式。

直接实现了比传统NAND封装更高的容量密度，同时通过更紧密的芯片集成降低了生产成本，让发展压力大幅度降低。

需要了解，DoB板上裸片封装是华为自研的晶圆级组装技术，其核心逻辑与行业通用的传统SSD封装存在本质区别。

主流制造商如三星、铠侠和美光等普遍遵循先封装后焊接的常规流程，比如将NAND闪存裸片首先置入TSOP（薄型小尺寸封装）或BGA（球栅阵列封装）的标准外壳内进行多芯片堆叠，形成独立的成品芯片，随后再通过引脚或焊球将其装配到SSD的PCB主板上。

TSOP作为早期的主流封装形式，其引脚分布于芯片两侧，而BGA则是现今广泛采用的方案，它以底部焊球替代引脚，从而支持更多的堆叠层数。

然而，这两种方式均受限于封装外壳的固定物理尺寸，在传统工艺下最多仅能实现16层裸片的堆叠。

而板上裸片封装技术则完全跳过了NAND芯片的独立封装步骤，直接将未封装的NAND裸片焊接在SSD的PCB基板上。

据Blocks&Files分析，这一设计使华为能够在无需依赖高堆叠层数的3D NAND芯片的前提下，将单位空间内的存储容量密度提高了33%。

同时突破了传统TSOP/BGA封装16层堆叠的物理限制，最高可实现36层裸片的堆叠，实力提升可谓非常大。

当然了，可能看这些专业术语会让许多用户摸不到头脑，但可以确认的是，其突破程度远比想象更夸张。

其次，这一封装形式同时引发了散热控制与信号完整性两大业界挑战，华为通过专项研发突破，成功推动了该技术的大规模商业应用。

关键该项自主技术目前已完整覆盖华为企业存储产品系列，此次展出的OceanDisk 1800智能盘柜可在2U空间内实现1.47PB容量。

而同为2U规格的OceanDisk 1610则可搭载36块61.44TB固态硬盘，总存储量达到2.2PB。

这些还不是最关键的，实际上去年8月华为就已推出采用板上裸片封装技术的OceanStor Pacific 9926全闪分布式存储系统，其2U机箱可容纳36块122.88TB NVMe SSD，提供4.42PB原始容量，经2.5:1数据压缩后有效容量可达11PB。

相比之下，戴尔同规格2U机型采用40块铠侠LC9 QLC NVMe 245.88TB固态硬盘，可提供10PB原始容量。

尽管华为在单盘容量上仍存在一定差距，但与全球领先厂商之间的技术距离已显著缩小。

同时行业观察指出，板上裸片封装技术为国内存储行业开辟了一条超越3D NAND堆叠层数限制的新途径，也为全球存储技术的迭代发展提供了新的思路。

所以迪子觉得，华为目前的大突破，真的意味着其在存储领域的表现已经非常强，未来的表现也会更好。

最后想说的是，如今的华为可谓是全面开花，从芯片到系统，然后现在到存储领域，实力真的是越来越强了。

对此，大家有什么想表达的吗？一起来说说看吧。