沃德科技申请基板与IC芯片的三维高密度互连方法专利，解决传统二维平面互连难以满足高密度集成要求问题
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2025-07-09 20:09:15
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，珠海市沃德科技有限公司申请一项名为“基板与IC芯片的三维高密度互连方法”的专利，公开号CN120280403A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及一种基板与IC芯片的三维高密度互连方法，包括以下步骤：对预设的硅基底进行多层介质复合处理，得到具有预设深宽比的硅通孔阵列结构；对所述硅通孔阵列结构进行金属填充，得到三维互连导电通路；对所述三维互连导电通路进行表面处理，得到具有梯度金属化的微凸点结构；对所述微凸点结构进行激光辅助键合，得到硅桥‑基板临时结构体；通过超临界流体辅助注入技术对所述硅桥‑基板临时结构体进行底部填充，得到具有应力释放功能的封装结构体；将预设的IC芯片与所述封装结构体进行组装固定，得到三维高密度互连封装体，解决了传统的二维平面互连方法难以满足高密度集成的要求的技术问题。
天眼查资料显示，珠海市沃德科技有限公司，成立于2009年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海市沃德科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目15次，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可32个。
来源：金融界
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