近日,韩国某存储芯片巨头公布下一代存储技术路线图:新一代高带宽内存(HBM5)计划采用2纳米制程基础芯片,提供12层、16层和20层DRAM堆叠方案,目标性能达到上一代产品的2倍,单瓦性能提升20%、热阻降低20%,预计2028年前后量产;同时,采用存储芯片直接堆叠于处理器上方新架构的zHBM,目标性能达到上一代的8倍,预计2029年后推出。
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