国巨电子取得晶片电阻内电极缺陷检测及缺陷电阻筛选专利
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2025-07-15 13:10:01
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，国巨电子（中国）有限公司取得一项名为“晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法”的专利，授权公告号CN115121506B，申请日期为2022年06月。
天眼查资料显示，国巨电子（中国）有限公司，成立于1996年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30197.7万美元。通过天眼查大数据分析，国巨电子（中国）有限公司参与招投标项目41次，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可29个。
来源：金融界
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