中车时代半导体申请一种沟槽顶角圆化结构等专利，减小沟槽内侧硅表面等离子体损伤
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2025-06-30 11:38:30
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金融界2025年6月30日消息，国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体有限公司申请一项名为“一种沟槽顶角圆化结构、圆化方法及功率半导体器件”的专利，公开号CN120224752A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种沟槽顶角圆化结构、圆化方法及功率半导体器件，包括设置在沟槽两侧顶角的圆化部，位于沟槽单侧顶角的圆化部设置有至少两个，该至少两个圆化部在沟槽单侧顶角上沿沟槽的深度方向呈台阶状排列设置，减小电场集中同时进一步分散了顶角区域电场的分布，使得本发明提供的圆化结构相对于现有圆化结构，在圆化结构整体宽度及高度尺寸相同的情况下，漏电流改善效果更好，在电压偏大的场景下减小漏电流，可适用的场景更多。而在相同的改善效果下，本发明的圆化结构的宽度和高度尺寸可以做得更小，减小沟槽内侧硅表面等离子体损伤，提高沟槽内栅氧可靠性。
天眼查资料显示，株洲中车时代半导体有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2435次，专利信息578条，此外企业还拥有行政许可64个。
来源：金融界
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