芯和半导体申请面向集成无源器件仿真的电容识别与网格优化方法专利，实现了仿真阶段自适应过程的加速_电池资讯

芯和半导体申请面向集成无源器件仿真的电容识别与网格优化方法专利，实现了仿真阶段自适应过程的加速

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2025-12-26 11:37:42

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国家知识产权局信息显示，芯和半导体科技（上海）股份有限公司申请一项名为“面向集成无源器件仿真的电容识别与网格优化方法及系统”的专利，公开号CN121212063A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种面向集成无源器件仿真的电容识别与网格优化方法及系统。所述方法包括步骤：确定集成无源器件模型中的目标介质层；确定每对在目标介质层的所属平面上具有投影重叠关系的上金属接触面与下金属接触面的投影重叠区域及其包围盒的面积；将自身面积与包围盒的面积的比值大于比值阈值的投影重叠区域标记为目标投影重叠区域；将目标投影重叠区域的相关实体结构识别为电容；对电容的相关区域进行网格加密设置。所述系统包括对应地实现上述各个步骤的各个功能模块。根据本发明，能够通过物理特性自动查找IPD电容加密区域，且电容识别和网格设置一体化完成，实现了仿真阶段自适应过程的加速，在保证仿真精度的同时显著提升计算效率。

天眼查资料显示，芯和半导体科技（上海）股份有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯和半导体科技（上海）股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目43次，财产线索方面有商标信息35条，专利信息119条，此外企业还拥有行政许可13个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投影投资上海识别集成仿真电容专利区域器件网格介质层

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