中科晶禾申请低电阻钨膜制备方法专利，避免对膜层造成损伤
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2026-01-03 10:37:01
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国家知识产权局信息显示，天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请一项名为“一种低电阻钨膜及其制备方法与超原子束辅助镀膜装置”的专利，公开号CN121250303A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种低电阻钨膜及其制备方法与超原子束辅助镀膜装置，所述的制备方法包括：提供基底；通过离子束溅射在基底表面形成β相钨沉积层；利用超原子束轰击所述β相钨沉积层进行局部热退火，得到α相钨膜层。本发明通过超原子束的轰击形成局部的脉冲高温，实现β相钨到低电阻率的α相钨，避免对膜层造成损伤，还提高了膜的致密性。
天眼查资料显示，天津中科晶禾电子科技有限责任公司，成立于2020年，位于天津市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本552.8571万人民币。通过天眼查大数据分析，天津中科晶禾电子科技有限责任公司参与招投标项目59次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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