晶合集成申请半导体结构及其制备方法、图像传感器专利，提升感光性能_电池资讯

晶合集成申请半导体结构及其制备方法、图像传感器专利，提升感光性能

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2026-01-07 16:08:22

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、图像传感器”的专利，公开号CN121285074A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、图像传感器，所述制备方法包括：提供衬底；其中，衬底表面形成有深沟槽；相邻的深沟槽在衬底中定义出像素区；在所述深沟槽中填入牺牲材料，并回刻所述牺牲材料，使残留的所述牺牲材料不高于所述衬底表面；对凸出于所述牺牲材料的暴露衬底表面进行晶向刻蚀，以在相邻的深沟槽之间形成具有凸起的像素区衬底表面；去除牺牲材料，以通过在深沟槽中设置隔离材料形成深沟槽隔离结构。通过在深沟槽工艺中回刻牺牲材料形成凸出于牺牲材料表面的部分衬底，并对其进行晶向刻蚀形成凸起的衬底表面，以增大光接触面积，提升感光性能，由于上述制备方法不需要使用掩膜即可形成衬底表面凸起，因此节约了工艺成本。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1545条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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