武汉市精微科技申请基于钝化层和侧壁金属层的Micro-LED芯片专利，提高Micro-LED芯片的EQE
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2026-01-08 15:08:17
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国家知识产权局信息显示，武汉市精微科技有限公司申请一项名为“基于钝化层和侧壁金属层的Micro-LED芯片及制备方法”的专利，公开号CN121285122A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于钝化层和侧壁金属层的Micro‑LED芯片及制备方法，Micro‑LED芯片，包括设置在衬底上的LED结构和电极结构，以及LED结构表面依次设置的第一钝化层和介质层，介质层的一侧设置有金属层；LED结构依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其中，第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反。本发明通过在LED结构表面的第一钝化层实现了低界面陷阱密度和固定电荷密度，显著降低侧壁载流子非辐射复合，提高Micro‑LED芯片的EQE；通过介质层/金属层侧壁结构施加正向偏置电压，降低了表面缺陷态与电子能态之间的能量差，减少表面非辐射复合，提升EQE，适用于低电流密度操作。
天眼查资料显示，武汉市精微科技有限公司，成立于2023年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉市精微科技有限公司专利信息6条，此外企业还拥有行政许可1个。
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