北方集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，提高深沟槽电容在半导体结构中的集成密度
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2026-01-10 09:08:37
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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121310550A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请提供一种提半导体结构，包括：第一基体，所述第一基体包括第一衬底以及位于所述第一衬底第一面的第一深沟槽电容；第二基体，所述第二基体包括第二衬底以及位于所述第二衬底第一面的第二深沟槽电容；以及所述第一基体的第一面和所述第二基体的第一面键合，所述第一深沟槽电容和所述第二深沟槽电容并联。本申请还提供一种半导体结构的形成方法。本申请提供的半导体结构及其形成方法能够提高深沟槽电容在半导体结构中的集成密度，还缩短了深沟槽电容间的连线，有利于提高深沟槽电容的电学性能。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息505条，此外企业还拥有行政许可125个。
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来源：市场资讯
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