南亚科技申请半导体电容器及其形成方法专利，改善漏电流以及电阻率
创始人
2026-01-12 11:10:37
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体电容器及其形成方法”的专利，公开号CN121310846A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体电容器。此半导体电容器包含有第一导电层、第二导电层以及介电层。介电层位于第一导电层以及第二导电层之间，且第一导电层及/或第二导电层通过等离子体处理，以去除不纯物，并将不纯物置换为氮原子，以改善漏电流以及电阻率。此外，一种半导体电容器的形成方法也在此揭露。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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