爱思开海力士申请半导体装置及其制造方法专利，纳米片厚度从第一片区朝向数据存储元件逐渐增加
创始人
2026-01-13 00:07:37
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121310542A，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可以包括：第一导线，其在第一方向垂直取向；数据存储元件，其与第一导线水平间隔开；纳米片，其在垂直于第一方向的第二方向上水平取向，并且包括接触第一导线的第一片区和接触数据存储元件的第二片区，纳米片的厚度从第一片区朝向数据存储元件逐渐增加；以及第二导线，其在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上围绕纳米片而延伸。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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