龙岩学院申请抑制雪崩复合发光串扰的雪崩光电二极管结构专利，可阻断雪崩复合发光出射或横向逸散
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2026-01-17 16:38:34
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国家知识产权局信息显示，龙岩学院;福建中晶科技有限公司申请一项名为“一种抑制雪崩复合发光串扰的雪崩光电二极管结构”的专利，公开号CN121335233A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开一种抑制雪崩复合发光串扰的雪崩光电二极管结构，包括相互隔离的多个像素单元，每个所述像素单元均包括衬底层、结构层、钝化层、复合发光增反层、入射光增透层和复合发光吸收层。其中，复合发光增反层和入射光增透层依次设于进光侧，复合发光吸收层设于背光侧，钝化层与复合发光增反层共同形成雪崩复合发光的反射膜，钝化层、复合发光增反层和入射光增透层共同构成入射光增透膜。本发明通过进光侧的双功能复合发光增反层和入射光增透层的组合设计，以及与背光侧复合发光吸收层的组合设计，既可反射并吸收雪崩复合发光，阻断其出射或横向逸散，并增强入射光透射率，同时具备抑制雪崩复合发光串扰和维持原器件量子效率水平的特点。
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