南亚科技申请具有电阻修改掺杂区的半导体元件及其制造方法专利，实现熔丝掺杂区与电阻修改掺杂区的部分重叠
创始人
2026-01-22 15:12:34
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有电阻修改掺杂区的半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN121368121A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请案公开一种半导体元件及此半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一井区，位于该基板内；一隔离结构，位于该井区中；一熔丝介质，位于该井区之上；一栅极电极，位于该熔丝介质之上；一熔丝掺杂区，位于该熔丝介质之下及该井区内；一源极/漏极区，位于相邻于该熔丝掺杂区的位置；以及一电阻修改掺杂区，与该熔丝掺杂区部分地重叠。该熔丝掺杂区及该电阻修改掺杂区具有一第一导电类型，且该井区具有与该第一导电类型不同的一第二导电类型。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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