行至存储申请沟槽式存储器及其制备方法专利，有效增大第二电连接结构的工艺窗口_电池资讯

行至存储申请沟槽式存储器及其制备方法专利，有效增大第二电连接结构的工艺窗口

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2025-06-20 12:09:06

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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，行至存储科技（苏州）有限公司申请一项名为“沟槽式存储器及其制备方法”的专利，公开号CN120187280A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种沟槽式存储器及其制备方法，通过先在第二介质层上形成第一沟槽，并在第一沟槽侧壁形成牺牲侧墙，然后借助该牺牲侧墙的占位继续向下刻蚀第一沟槽形成口径变小的第二沟槽，从而形成口径变小的台阶状深槽，后续在该台阶状的深槽中形成由第一电极层、存储层及第二电极层构成的沟槽式存储电容器结构，由于台阶状的深槽上部第一沟槽的口径大于下部的第二沟槽，因而使形成于其中的第二电极层的面积增大，从而可有效增大第二电连接结构的工艺窗口，降低第二电连接结构的光刻CD(关键尺寸)、对准精度(overlay)、刻蚀等过程的难度，提高第二电极层与第二电连接结构的电连接性能，从而提高沟槽式存储器的生产良率及降低成本。

天眼查资料显示，行至存储科技（苏州）有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本758.928万人民币。通过天眼查大数据分析，行至存储科技（苏州）有限公司参与招投标项目1次，专利信息5条。

来源：金融界

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