行至存储申请沟槽式存储器及其制备方法专利，有效增大第二电连接结构的工艺窗口
创始人
2025-06-20 12:09:06
0次
金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，行至存储科技（苏州）有限公司申请一项名为“沟槽式存储器及其制备方法”的专利，公开号CN120187280A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种沟槽式存储器及其制备方法，通过先在第二介质层上形成第一沟槽，并在第一沟槽侧壁形成牺牲侧墙，然后借助该牺牲侧墙的占位继续向下刻蚀第一沟槽形成口径变小的第二沟槽，从而形成口径变小的台阶状深槽，后续在该台阶状的深槽中形成由第一电极层、存储层及第二电极层构成的沟槽式存储电容器结构，由于台阶状的深槽上部第一沟槽的口径大于下部的第二沟槽，因而使形成于其中的第二电极层的面积增大，从而可有效增大第二电连接结构的工艺窗口，降低第二电连接结构的光刻CD(关键尺寸)、对准精度(overlay)、刻蚀等过程的难度，提高第二电极层与第二电连接结构的电连接性能，从而提高沟槽式存储器的生产良率及降低成本。
天眼查资料显示，行至存储科技（苏州）有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本758.928万人民币。通过天眼查大数据分析，行至存储科技（苏州）有限公司参与招投标项目1次，专利信息5条。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
医用稳压电源工作原理:为什么医...
医院的诊疗安全离不开稳定电力的支撑，MRI、超声仪、呼吸机等精密医疗器械，对电压波动的耐受度几乎为零...
摩尔线程：庐山芯片多性能大幅提...
【12月20日摩尔线程开发者大会推出庐山图形芯片】12月20日，摩尔线程2025 MUSA开发者大会...
数字认证中标：中诚信托2025...
证券之星消息，根据天眼查APP-财产线索数据整理，根据中诚信托有限责任公司12月17日发布的《中诚信...
适配吉布提光伏储能！380V油...
在非洲吉布提，丰富的光照资源让光伏储能成为能源转型的核心方向，但光伏供电的电压波动问题，却常常困扰着...
华数传媒：股东西湖电子集团拟减...
雷达财经 文|杨洋 编|李亦辉 12月19日，华数传媒控股股份有限公司（证券简称：华数传媒）发布公告...
山西证券：PCB材料行业报告：...
今天分享的是：山西证券：PCB材料行业报告：乘AI之风，PCB材料向高频高速升级 报告共计：33页 ...
英伟达(NVDA.US)相对半...
伯恩斯坦最新研报指出，英伟达(NVDA.US)当前相对于费城半导体指数(SOX.US)的估值水平处于...
铜峰电子（600237）披露控...
截至2025年12月19日收盘，铜峰电子（600237）报收于8.93元，较前一交易日上涨1.71%...
股票行情快报：精测电子（300...
证券之星消息，截至2025年12月19日收盘，精测电子(300567)报收于76.91元，上涨0.5...